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BSM150GT120DN2半导体原装热卖,专销Infineon Technologies BSM150GT120DN2半导体

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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
厂 家:
Infineon Technologies
数 量:
903
 
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产品咨询直线:0755-82711633

产品详细说明

描述IGBT 模块 1200V 150A TRIPACK
制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
产品IGBT Silicon Modules
配置Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.5 V
在25 C的连续集电极电流200 A
栅极—射极漏泄电流320 nA
功率耗散1.25 KW
最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体EconoPACK 3A
栅极/发射极最大电压20 V
安装风格Screw
工厂包装数量10