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IPB80N06S4L-07特低价供应Infineon Technologies分离式半导体产品,IPB80N06S4L-07分离式半导体产品,厂家直销 量大优惠

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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
厂 家:
Infineon Technologies
数 量:
10000
 
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产品咨询直线:0755-82711633

产品详细说明

描述MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表IPx80N06S4L-07
标准包装1,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.4 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 40µA
闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds5680pF @ 25V
功率 - 最大79W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3
包装带卷 (TR)
其它名称SP000415572