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IPD031N03LG原装Infineon Technologies分离式半导体产品现货供应,环保现货IPD031N03LG价格优惠

  • IPD031N03LG原装Infineon Technologies分离式半导体产品现货供应,环保现货IPD031N03LG价格优惠
产品价格:
电话咨询/ 1pcs
厂 家:
Infineon Technologies
封 装:
TO252
批 号:
09+
数 量:
10000
 
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产品咨询直线:0755-82711633

产品详细说明

描述MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
数据列表IPD031N03L G
标准包装1
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单路
系列OptiMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs51nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss)5300pF @ 15V
功率 - 最大94W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装剪切带 (CT)
其它名称IPD021N03LGINCT IPD021N03LGINCT-ND IPD031N03LGINCT