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供应IGB01N120H2分离式半导体产品,Infineon Technologies品牌分离式半导体产品IGB01N120H2 原装现货

  • 供应IGB01N120H2分离式半导体产品,Infineon Technologies品牌分离式半导体产品IGB01N120H2 原装现货
产品价格:
电话咨询/ 1pcs
厂 家:
Infineon Technologies
数 量:
2400
 
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产品咨询直线:0755-82711633

产品详细说明

描述IGBT 1200V 1A 28W TO263-3-2
RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表IGB01N120H2
标准包装1,000
类别分离式半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列-
IGBT 类型-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开)2.8V @ 15V,1A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)3.2A
功率 - 最大28W
输入类型标准型
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3-2
包装带卷 (TR)
其它名称IGB01N120H2ATMA1SP000014614