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IPD60R385CP原装Infineon Technologies半导体现货供应,环保现货IPD60R385CP价格优惠

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产品价格:
电话咨询/ 1pcs
厂 家:
Infineon Technologies
封 装:
TO252
批 号:
08+
数 量:
59937
 
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产品咨询直线:0755-82711633

产品详细说明

描述MOSFET N-CH 600 V 9 A
RoHS
• 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
• 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
• 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
• 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET N-CH 600 V 9 A
制造商Infineon
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压600 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.385 Ohms
配置Single
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252
封装Reel
下降时间5 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散83 W
上升时间5 ns
典型关闭延迟时间40 ns
零件号别名IPD60R385CPBTMA1 IPD60R385CPXT SP000307381