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鸿镒电子有限公司
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- 产品价格：
- ￥10/ 1pcs
- 交易说明：
- 全新原IR,价格绝对优势,提供最好的售后服务,价格以询价为准
- 配送说明：
- 产品图片为我们专做封装
- 厂 家：
- IR
- 封 装：
- SMD-1
- 批 号：
- 2013
- 数 量：
- 490
产品咨询直线：0755-82774755
产品详细说明
封装:SMD-1
类型:MOSFET N沟
反向DSS击穿电压:55V
导通电阻(ohms):0.008
漏极电流@25C(A):55
漏极电流@100C(A):55
功率:125W
特性:
低导通电阻
简易驱动要求
自由并联运行
超轻重量
大功率MOSFET,密封式封装工艺,主要应用于军事级,航天,空间,船舶等领域,开关电源,马达控制,变压器,
音频放大器和高能脉冲电路,性能优越,寿命超长,工作温度广.
