香港红日科技电子有限公司 （非本站正式会员）

主营范围：香港红日科技电子有限公司，创建于1995年，公司自创立以来凭着“信誉第一，质量保证，售后服务，价格优势”的经营理念，得到了世界各地以及业界同行的一致好评！本公司专业代理的元器件主要是：系列贴片二三极管，电容电阻，光电藕合以及世界各国名牌厂家的积体电路，包括工业级、偏冷门及一系列民用元器件。香港红日科技电子有限公司，创建于1995年，公司自创立以来凭着“信誉第一，质量保证，售后服务，价格优势”的经营理念，得到了世界各地以及业界同行的一致好评！本公司专业代理的元器件主要是：系列贴片二三极管，电容电阻，光电藕合以及世界各国名牌厂家的积体电路，包括工业级、偏冷门及一系列民用元器件。

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特性
　　巴克的同步驱动引导高端驱动一个PWM信号产生两个驱动器Anticross-conduction保护电路输出禁用控制关闭这两个场效应管浮动输出/英特尔?VRM 10规范应用程序多相台式机CPU供应单电源同步降压转换器　一般的描述ADP3110双,高压MOSFET驱动优化驾驶两个n沟道MOSFET,这是两个开关nonisolated同步巴克电源转换器。每个司机能开3000 pF负荷25 ns传播延迟和30 ns过渡时间。其中一个司机可以引导,旨在处理高电压转换速率与浮动高端门驱动程序。ADP3110包括重叠保护

绝对最大额定参数下压力高于上市可能会造成永久性损坏设备。这是一个压力等级,功能的设备操作这些或任何其他条件高于表示在操作部分的规范不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件时间延长可能影响器件的可靠性。除非另有说明所有其他电压PGND引用。
应用程序信息供应电容的选择供应输入(VCC)ADP3110,当地一个旁路电容器建议减少噪音和供应的峰值电流。使用4.7μF,低ESR电容器。多层陶瓷电容(MLCC)芯片提供低ESR和小尺寸的最佳组合。保持陶瓷电容器ADP3110尽可能接近。
自举电路
自举电路使用电荷存储电容器(CBST1)和一个二极管,它所示地点:QGATE总门的高端VGATE MOSFET。VGATE所需的栅极驱动电压(通常在5 V的范围到10 V,7 V是典型的)。在D1 VD的电压降。重新整理方程1和2方程来解决CBST1产DGATEBSTVVCCQC×= 101(3) CBST2可以重新发现方程

　　例如,一个NTD60N02门总费用约12数控VGATE = 7诉使用VCC = 12 V与VD = 1 V,我们发现CBST1 = 1
可以用于小信号二极管由于充足的栅极驱动电压自举二极管由VCC提供。自举二极管必须有一个15 V评级承受最大的电源电压。平均正向电流可以估计MAXGATEAVGFfQI×=)((5)fMAX哪里的最高开关频率控制器。

冲击电流峰值评级应该计算BSTDPEAKFRVVCCI=)((6)MOSFET的选择当连接ADP3110外部mosfet,设计师应该ADP3110 DRVH输出阻抗和外部mosfet的输入电阻确定收费率交付mosfet的栅极电容,进而决定了场效应管的开关时间。大电压峰值可以跨源生成的引线电感高端mosfet开关关闭时,由于大电流流动在mosfet开关(通常在关闭由于增加更大的电流输出电感器)。

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