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深圳市桑尼奇科技有限公司
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DDR内存芯片NT5CB256M8FN-DI ，NT5CB256M8FN-DI原装现货
产品详细说明
NT5CB256M8FN-DI是南亚（NANYA）公司推出的一款2GB DDR3 同步动态RAM,该芯片除按照DDR3 DRAM特性进行设计外，所有的控制及地址输入都能与外部提供的时钟保持同步。在一般应用程序数据传输中，其DDR传输速率可高达1600Mb/sec/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。
NT5CB256M8GN-CG的主要功能特性包括：
1、VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC标准电源)
2、VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (向后兼容的VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V)
3、8内存序列(BA0- BA2)
4、差分时钟输入
5、可编程延迟（）：5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
6、写入延迟（CWL）：5，6，7，8，9
7、在CAS添加可编程附加延迟（Al）： 0, CL-1, CL-2时钟
8、可编程顺序/交错突发式ZQ引脚 (RZQ:240 ohm±1%)
9、可编程的突发长度：4, 8
10、8N位预取架构
11、输出驱动的阻抗控制
12、差动双向数据选通
13、内部（自我）校准：内部自校准
14、OCD 校准
15、动态 ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)
16、自动刷新
17、自刷新温度
18、符合RoHS和无卤
19、封装：78-Balls BGA for x4, x8 components
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