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深圳市金嘉锐电子有限公司
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供应分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 模块 > FF600R06ME3
- 产品价格:
- ¥100/ 1pcs
¥950/ 100pcs
- 交易说明:
- 现款现货
- 配送说明:
- 自取,快递送达
- 厂 家:
- Infineon Technologies
- 封 装:
- IGBT 模块
- 批 号:
- 最新
- 数 量:
- 6500
产品咨询直线:0755-22929859
产品详细说明
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
在25 C的连续集电极电流: 700 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 1650 W
最大工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
在25 C的连续集电极电流: 700 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
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