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供应P沟道MOS管IRLML6401,原装,原装正口,深圳现货,

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产品价格:
0.38/ 1pcs
0.5/ 10pcs
0.4/ 100pcs
0.38/ 1k
厂 家:
IR
封 装:
SOT-23
批 号:
14+
数 量:
10000
 
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产品咨询直线:0755-83753058

产品详细说明

IRLML6401 - 基本参数:

晶体管极性:P 
漏极电流, Id最大值:-4.3A 
电压, Vds最大:-12V 
开态电阻, Rds(on):0.05ohm 
电压@ Rds测量:-4.5V 
电压, Vgs最高:-550mV 
功耗:1.3W 
封装类型:Micro3 
针脚数:3 
封装类型:Micro3 
晶体管类型:MOSFET 
电压Vgs @ Rds on测量:-4.5V 
电压, Vds典型值:-12V 
电流, Id连续:-4.3A 
表面安装器件:表面安装 
阈值电压, Vgs th典型值:-0.55V