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深圳市金嘉锐电子有限公司
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供应 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET >STW11NM80
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- 交易说明:
- 款到发货
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- 快递送达
- 厂 家:
- STMicroelectronics
- 封 装:
- TO-247-3
- 批 号:
- 最新
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- 15600
产品咨询直线:0755-22929859
产品详细说明
制造商: STMicroelectronics
产品种类: Power MOSFET Transistors
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 8 S
最小工作温度: - 65 C
上升时间: 17 ns
系列: STW11NM80
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 46 ns
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