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  • 电话:0755-83559632
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FDB28N30TM场效应管

  • FDB28N30TM场效应管
产品价格:
1.00/ 10pcs
交易说明:
散新的, 要提前订货一天
配送说明:
质量第一、信誉第一
厂 家:
FAIRC
封 装:
TO-263
批 号:
13+
数 量:
12539
 
点此询价

产品咨询直线:0755-83559632

产品详细说明

MOSFET的最大额定值T=25℃除非另有说明* 
热特性 
符号参数额定值单位 
VDSS漏极至源极电压300伏 
VGSS门源电压±30 V 
ID漏电流连续(T=25℃)28 A 
- 连续(T=100℃)19 
IDM漏电流 - 脉冲(注1)112一 
EAS单脉冲雪崩能量(注2)588毫焦耳 
IAR雪崩电流(注1)28 A 
耳重复性雪崩能量(注1)25兆焦耳 
的dv / dt峰值二极管恢复dv/ dt(注3)4.5第V / ns 
PD的功率耗散(TC=25℃)250 W 
- 减额25℃2.0 W/℃以上 
TJ,Tstg工作和存储温度范围-55至+150摄氏度 
TL 
最大无铅焊接温度的目的, 
1/8“案件从5秒300摄氏度 
符号参数额定值单位 
RθJC热阻,结到外壳0.5 
ØRθJA*热阻,结到环境*40 C / W的 
RθJA热阻,结到环境62.5 
*当安装在焊垫尺寸推荐(PCB安装)