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北京浩诚嘉泰科技有限公司
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供应FF1200R17KE3英飞凌IGBT模块
产品详细说明
供应英飞凌模块 FF1200R17KE3
型号：FF1200R17KE3 (德国进口/全新原装）
制造商：英飞凌Infineon/EUPEC产品种类：IGBT 模块
品质：全新原装
电压：1700 V
电流：1200 A
工作温度:145C
FF120RR17KE3 模块性能：
绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱静态特性
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示：：
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
③ 整流桥+三相桥(PIM)
FP15R12KE3 FP15R12KE3G FP15R12KT3 FP25R12KE3 FP25R12KT3 FP40R12KE3 FP40R12KE3G
FP40R12KT3 FP40R12KT3G FP50R12KE3
FP50R12KT3 FP75R12KE3 FP75R12KT3
(3)1700V IGBT
① 单管(1单元)
FZ400R17KE3 FZ600R17KE3 FZ800R16KF4 FZ800R17KF6C_B2
FZ1200R17KE3 FZ1200R17KE3_B2 FZ1200R17KF6C_B2 FZ1600R17KE3
②半桥(两单元)
BSM50GB170DN2 BSM75GB170DN2 BSM100GB170DLC BSM100GB170DN2
BSM150GB170DLC BSM150GB170DN2 FF200R17KE3 FF300R17KE3 FF600R17KE3 FF600R17KF6C_B2
FF800R17KE3 FF800R17KE3_B2 FF800R17KF6C_B2
