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深圳市宝安区新安鸿仕科电子商行
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产品分类
供应直销场效应 MOS管 AO3401 SOT-23封装 丝印A19T
- 产品价格：
- ￥0.11/ 1pcs
- 交易说明：
- 原装现货库存，品质齐全，价格优势
- 厂 家：
- 中性
- 封 装：
- SOT-23
- 批 号：
- 14+
- 数 量：
- 900000
产品咨询直线：0755-83263391
产品详细说明
产品详细说明
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型号/规格
AO3401
- 品牌/商标中性
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封装形式
SOT-23
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环保类别
无铅环保型
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安装方式
贴片式
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包装方式
卷带编带包装
AO3401场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib为参变量。场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
产品的详细信息
品牌：中性
型号：AO3401
种类：绝缘栅（MOSFET）
RoHS: 是
沟道类型：P沟道
导电方式：增强型
用途：V-FET/V型槽MOS
封装外形：SMD（SO）/表面封装
材料：N-FET硅N沟道
功率MOSFET的工作原理
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子-电子吸引到栅极下面的P区表面
当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
值得一提的是采用平面式结构的功率MOSFET也并非不存在，这类元件主要用在高级的音响放大器中。平面式的功率MOSFET在饱和区的特性比垂直结构的对手更好。垂直式功率MOSFET则多半用来做开关切换之用，取其导通电阻（turn-on resistance）非常小的优点。
