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深圳市正沃电子有限公司
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产品分类
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供应10N60
- 产品价格：
- ￥2/ 1pcs
￥1.5/ 10pcs
￥1.4/ 100pcs
￥1.3/ 1k
￥1.2/ 10k
- 交易说明：
- 一级货源 质量保证 现货供应 价格当天咨询为准
- 配送说明：
- 华强北附近可上门送货，其他地区发快递，运费到付
- 厂 家：
- FAIRCHILD
- 封 装：
- TO-220F
- 批 号：
- 14+
- 数 量：
- 50000
产品咨询直线：0755-83681600
产品详细说明
DESCRIPTION:
The UTC 10N60 is a high voltage and higt current power MOSFET, designed to have better
characteristICS, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and
have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high
speed switching applicATIons in power supplies, PWM motor controls, higt efficient DC to
DC converters and bridge circuits.
FEATURES:
* RDS=0.73Ω @VGS=10V ;
* Ultra low gate charge (typical 44 nC) ;
* Low reverse transfer Capacitance (CRSS=typical 18 pF) ;
* Fast switching ;
* 100% avalanche test;
* Improved dV/dt capability
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS:
|
SYMBOL |
PARAMETER |
RATINGS |
UNIT |
|
|
VDSS |
Drain-source voltage 10N60-A |
600 |
V |
|
|
10N60-B |
650 |
|||
|
VGSS |
Gate-source voltage |
±30 |
V |
|
|
IAR |
Avalanche current |
9.5 |
A |
|
|
ID |
Continuous drain current |
Tc=25 , |
9.5 |
A |
|
Tc=100 , |
3.3 |
A |
||
|
dV/dt |
Peak diode recovery dV/dt |
4.5 |
V/ns |
|
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
|
SYMBOL |
TEST CONDITIONS |
MIN |
TYP |
MAX |
UNIT |
|
IDSS |
VDS=600V, VGS=0V |
|
|
1 |
uA |
|
IGSS |
VGS=30V, VDS=0V |
|
|
100 |
nA |
|
VGS=-30V, VDS=0V |
|
|
-100 |
nA |
|
|
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=250uA |
2.0 |
|
4.0 |
V |
|
RDS(on) |
VGS=10V, ID=4.75A |
|
0.6 |
0.73 |
Ω |
|
Ciss |
VDS=25V, VGS=0V f=1MHz |
|
1570 |
2040 |
pF |
|
Coss |
|
166 |
215 |
pF |
|
|
Crss |
|
18 |
14 |
pF |
|
|
td(on) |
VDD=300V, ID=7.5A RG=25Ω, |
|
23 |
55 |
ns |
|
tr |
|
69 |
150 |
ns |
|
|
td(off) |
|
144 |
300 |
ns |
|
|
tf |
|
17 |
165 |
ns |
|
|
VSD |
VGS=0V, IS=7.5A |
|
|
1.4 |
V |
|
ISM |
|
|
|
38 |
A |
ORDERING INFORMATION:
10N60系列型号含义：/upfiles/2012/1115/file/20121115070520_37756.doc
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|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
