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深圳市宝安区新安鸿仕科电子商行
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产品分类
供应原装现货进口韩国信安TSP8N60M
- 产品价格:
- 面议/ 1pcs
- 交易说明:
- 原装现货库存,品质齐全,价格优势
- 厂 家:
- 信安
- 封 装:
- TO-220
- 批 号:
- 14+
- 数 量:
- 1000
产品咨询直线:0755-83263391
产品详细说明
TSP8N60M产品信息:
品牌:韩国信安
型号:TSP8N60M
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:L/功率放大
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:N-FET硅N沟道
场效应管主要参数:
直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS.
开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS.
交流参数
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。
极限参数
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS.
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。