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供应三菱CM100DY-24模块，三菱CM100DY-24

CM100DY-24H 参数

标准包装2
类别半导体模块 家庭
IGBT 类型-
配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
Vge, Ic时的最大Vce（开）3.4V @ 15V, 100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）100A
电流 - 集电极截止（最大）1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)20nF @ 10V
功率 - 最大780W
输入标准型
NTC 热敏电阻无
安装类型：底座安装
 
IGBT的介绍
IGBT的全名是(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极晶体管是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。
多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照像机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，一种是模压树脂密封的三端单体封装型，从TO－3P到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把IGBT与FWD （FleeWheelDiode）成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同，分为多种形状及封装方式，都已形成系列化。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，与同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化 IGBT驱动器的原理图。