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深圳市华亿电子有限公司
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供应贴片三极管BSH111 AND PMBFJ177
- 产品价格：
- ￥0.145/ 10k
- 交易说明：
- BSH111的价格0.145,PMBFJ177的价格0.36
- 厂 家：
- NXP
- 封 装：
- SOT-23
- 批 号：
- 1435
- 数 量：
- 900000
产品咨询直线：13528461290
产品详细说明
MOS管，BSH111 in SOT23.
VDS drain-source voltage (DC) 25 °C £ Tj £ 150 °C - 55 V
VDGR drain-gate voltage (DC) 25 °C £ Tj £ 150 °C; RGS = 20 kW - 55 V
VGS gate-source voltage - ±10 V
ID drain current (DC) Tsp = 25 °C; VGS = 4.5 V;
Tsp = 100 °C; VGS = 4.5 V; Figure 2 - 212 mA
IDM peak drain current Tsp = 25 °C; pulsed; tp £ 10 ms;
Ptot total power dissipation Tsp = 25 °C; Figure 1 - 0.83 W
Tstg storage temperature -65 +150 °C
Tj junction temperature -65 +150 °C
IS source (diode forward) current (DC) Tsp = 25 °C - 335 mA
ISM peak source (diode forward) current Tsp = 25 °C; pulsed; tp £ 10 ms - 1.3 A
MOS管，PMBFJ174 to 177都有，都是SOT-23
标准丝印：PMBFJ174 : p6X，PMBFJ175 : p6W，PMBFJ176 : p6S，PMBFJ177 : p6Y
Drain-source voltage ± VDS max. 30 V
Gate-source voltage VGSO max. 30 V
Gate current -IG max. 50 mA
Total power dissipation
up to Tamb = 25 °C Ptot max. 300 mW
Storage temperature range Tstg -65 to + 150 °C
Junction temperature Tj max. 150 °C
