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泉州新益达微波电子有限公司
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供应BLF6G206S-110，现货供应
产品详细说明
General description
110 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from
1800 MHz to 2000 MHz.
Table 1.
Typical performance
RF performance at Tcase = 25 °C in a common source class-AB production test circuit.
Mode of operation
f
VDS
PL(AV)
Gp
η
D
IMD3
ACPR
(MHz)
(V)
(W)
(dB)
(%)
(dBc)
(dBc)
2-carrier W-CDMA
1930 to 1990
28
25
19
31
−37[1]
−40[1]