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供应德国全新原装英飞凌模块fz3600r12ke3

制造商：Infineon
产品种类：IGBT 晶体管
RoHS：否
配置：Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压： 1200 V
集电极—射极饱和电压：1.7 V
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C3600 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：14.8 KW
最大工作温度：+ 125 C
封装 / 箱体：IHM 190X140-9
最小工作温度：- 40 C
安装风格：Screw
 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是大规模功率集成半导体开关器件。IGBT采用MOS

栅输入结构，开关主体是双极晶体管，它兼有MOSFET的高输入阻抗、电压控

制特点，又具有双极晶体管低饱和压降的优势；其最显著特点是高速、高压

、大电流。功率开关在功率变换电路里处于核心地位，IGBT是当代功率开关

的主流器件。功率半导体器件一直是西门子/Infineon的核心产品，西门子在

全球率先推出新型NPT-IGBT芯片，具有高可靠、低成本的最优性能价格比。

西门子可提供电流从6A到3600A；电压从600V、1200V、1700V、2500V、3300V

、到6500V全系列各种封装形式的IGBT模块。频率特性高频差好好续表应用多

级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路

及恒流源
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工艺，600V“HS”系列硬开关频率高达100KHz，

1200V“SKW”系列硬开关频率可达40KHz。
   Infineon第三代IGBT，采用沟槽栅+电场终止层(Fieldstop)技术，具有较

低的饱和压降，低达1.50V 。Infineon IGBT温升低，有较大的血崩耐量。
、