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供应德国英飞凌IGBT模块BSM100GB120DN2K

  • 供应德国英飞凌IGBT模块BSM100GB120DN2K
产品价格:
1.00/ 1pcs
交易说明:
款到发货
配送说明:
顺丰快递
厂 家:
德国英飞凌
封 装:
IGBT模块
批 号:
12+
数 量:
500
 
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产品咨询直线:010-59264989

产品详细说明

供应德国英飞凌IGBT模块bsm100gb120dn2k

制造商Infineon(EUPEC)
产品种类:IGBT 模块
RoHS:否
产品:IGBT 可控硅模块
配置:板桥模块
集电极—发射极最大电压 :1200 V
集电极—射极饱和电压:2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C145 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:700 W
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:半桥1
栅极/发射极最大电压:20 V
安装风格:Screw
标准包装:500
  BSM100GB120DN2k是西门子2单元、100A、1200V 的 DLC系列IGBT模块。主

要是强电流、高压应用,用于变频器、UPS电源领域,西门子电力半导体器件广

泛应用于发电、输配电、电气传动、牵引、电力系统,家用电器、新能源、

汽车电子等电力电子设备中。
    Infineon IGBT采用NPT-IGBT工艺,600V“HS”系列硬开关频率高达

100KHz, 1200V“SKW”系列硬开关频率可达40KHz。温升低,有较大的血崩

耐量。第三代IGBT,采用沟槽栅+电场终止层(Fieldstop)技术,具有较低的

饱和压降,低达1.50V 。