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供应热卖畅销的英飞凌IGBT模块BSM100GB120DN2

  • 供应热卖畅销的英飞凌IGBT模块BSM100GB120DN2
产品价格:
1.00/ 1pcs
交易说明:
款到发货
配送说明:
顺丰快递
厂 家:
德国英飞凌
封 装:
IGBT模块
批 号:
12+
数 量:
500
 
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产品咨询直线:010-59264989

产品详细说明

供应热卖畅销的英飞凌IGBT模块bsm100gb120dn2

BSM100GB120DN2 参数

制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS是
产品IGBT Silicon Modules
配置Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C150 A
栅极—射极漏泄电流200 nA
功率耗散800 W
最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体Half Bridge2
栅极/发射极最大电压20 V
安装风格Screw
标准包装:500
 
    IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。

IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控制、输入

阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率

高等优点。但是,IGBT和其它电力电子器件一样,其应用还依赖于电路条件

和开关环境。因此,IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点,为解

决IGBT的可靠驱动问题,国外各IGBT生产厂家或从事IGBT应用的企业开发出

了众多的IGBT驱动集成电路或模块,如国内常用的日本富士公司生产的EXB8

系列,三菱电机公司生产的M579系列,美国IR公司生产的IR21系列等。但是

,EXB8系列、M579系列和IR21系列没有软关断和电源电压欠压保护功能,而

惠普生产的HCLP一316J有过流保护、欠压保护和1GBT软关断的功能。