产品详细说明
仙童 飞兆 FQPF8N60C 场效应管 MOSFET N TO-220F 现货库存大量供应
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1255pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)36nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
供应商器件封装TO-220F
功率 - 最大值48W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）7.5A（Tc）
FET 功能标准
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
