深圳市福田区霍芯电子商行 （非本站正式会员）

特性

双全桥MOSFET驱动，导通电阻Ron＝0.5Ω

高耐压50VDC，大电流4.2A（峰值）

细分选择：1/2、1/8、1/10、1/16、1/20、1/32、1/40、1/64

自动半流锁定功能

4档衰减方式可调

内置温度保护及过流保护

管脚说明

管脚 编号	输入/输出	符号	功      能      描      述
1	输出	ALERT	温度保护及过流保护输出端（常态为1，过流保护时为0）
2	—	SGND	信号地外部与电源地相连
3	输入	DCY1	衰减方式控制端
4	输入	DCY2	衰减方式控制端
5	输入	Vref	电流设定端（0—3V）
6	输入	VMB	电机驱动电源  B相电源与A相电源相连
7	输入	M1	细分数选择端（详见附表）
8	输入	M2	细分数选择端（详见附表）
9	输入	M3	细分数选择端（详见附表）
10	输出	OUT2B	B相功率桥输出端2
11	—	NFB	B相电流检测端应连接大功率检测电阻
12	输出	OUT1B	B相功率桥输出端1
13	—	PGNDB	B相驱动电源地与A相电源地及信号地相连
14	输出	OUT2A	A相功率桥输出端2
15	—	NFA	A相电流检测端应连接大功率检测电阻
16	输出	OUT1A	A相功率桥输出端1
17	—	PGNDA	驱动电源地线
18	输入	ENABLE	使能端ENABLE＝0所有输出为0，ENABLE=1正常工作
19	输入	RESET	上电复位端
20	输入	VMA	A相电机驱动电源与A相电源相连
21	输入	CLK	脉冲输入端
22	输入	CW/CCW	电机正反转控制端
23	—	OSC2	斩波频率控制端
24	输入	VDD	5V电源芯片工作电源要求稳压
25	输出	Down	半流锁定控制端

参考图

封装图