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供应IRF7759L2TR1PBF - 场效应管

  • 供应IRF7759L2TR1PBF - 场效应管
产品价格:
10.5/ 1pcs
厂 家:
IR
封 装:
DIRECTF
批 号:
1346
数 量:
20000
 
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产品详细说明

供应IRF7759L2TR1PBF - 场效应管

MOS 

场效应管也被称为

MOS FET

 

Metal Oxide Semiconductor Field Effect 

 

            

Transistor

(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。

本文使用的为增强型

MOS 

 

            

场效应管,其内部结构见图

5

。它可分为

NPN

PNP

型。

NPN

型通常称为

N

道型,

PNP

型也叫

P

沟道型。

由图可看出,

对于

N

沟道的场效应管其源极和漏极接在

N

半导体上,同样对于

P

沟道的场效应管其源极和漏极则接在

P

型半导体上。我们知道一般

三极管是由输入的电流控制输出的电流。

但对于场效应管,

其输出电流是由输入的电压

(或

称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,

同时这也是我们称之为场效应管的原因

MOS 

场效应管也被称为

MOS FET

 

Metal Oxide Semiconductor Field Effect 

 

            

Transistor

(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。

本文使用的为增强型

MOS 

 

            

场效应管,其内部结构见图

5

。它可分为

NPN

PNP

型。

NPN

型通常称为

N

道型,

PNP

型也叫

P

沟道型。

由图可看出,

对于

N

沟道的场效应管其源极和漏极接在

N

半导体上,同样对于

P

沟道的场效应管其源极和漏极则接在

P

型半导体上。我们知道一般

三极管是由输入的电流控制输出的电流。

但对于场效应管,

其输出电流是由输入的电压

(或

称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,

同时这也是我们称之为场效应管的原因

场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点,而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性,即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼),一般的晶体管是不容易做到这一点的,电子管是根本不可能达到这一点。所谓双向对称性,对普通晶体管来说,就是发射极和集电极互换,对电子管来说,就是将阴极和阳极互换。