- IC型号
深圳市睿芯威电子商行
- 营业执照：已审核经营模式：经销商所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.shiningway.com.cn
收藏本公司 人气：121533
联系方式
- 地址：福田区中航路都会电子城2C012A室
- 联系人：陈小姐
- 电话：0755-83041886
- 传真：0755-83041683
- 手机：13543259139
- QQ：
- E-mail：13543259139@139.com
产品分类
友情链接
供应BCP56-16，BCP56-16报价
- 产品价格：
- ￥0.32/ 1k
- 交易说明：
- 只做进口原装正品房间现货！
- 厂 家：
- NXP
- 封 装：
- SOT223
- 批 号：
- 14+
- 数 量：
- 10000
产品咨询直线：0755-83041886
产品详细说明
ET通过影响导电沟道的尺寸和形状，控制从源到漏的电子流（或者空穴流）。沟道是由（是否）加在栅极和源极的电压而创造和影响的（为了讨论的简便，这默认体和源极是相连的）。导电沟道是从源极到漏极的电子流。
在一个n沟道"耗尽模式"器件，一个负的栅源电压将造成一个耗尽区去拓展宽度，自边界侵占沟道，使沟道变窄。如果耗尽区扩展至完全关闭沟道，源极和漏极之间沟道的电阻将会变得很大，FET就会像开关一样有效的关闭。类似的，一个正的栅源电压将增大沟道尺寸，而使电子更易流过。
相反的，在一个n沟道"增强模式"器件中，一个正的栅源电压是制造导电沟道所必需的，因为它不可能在晶体管中自然的存在。正电压吸引了体中的自由移动的电子向栅极运动，形成了导电沟道。但是首先，充足的电子需要被吸引到栅极的附近区域去对抗加在FET中的掺杂离子；这形成了一个没有运动载流子的被称为耗尽区的区域，这种现象被称为FET的阈值电压。更高的栅源电压将会吸引更多的电子通过栅极，则会制造一个从源极到漏极的导电沟道；这个过程叫做"反型"。
