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深圳市睿芯威电子商行
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- 厂 家：
- NXP
- 封 装：
- SOT23
- 批 号：
- 14+
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- 60000
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产品详细说明
无论是增强模式还是耗尽模式器件，在漏源电压远小于栅源电压时，改变栅极电压将改变沟道电阻，漏电流将和漏电压（相对于源极的电压）成之比。在这种模式下FET将像一个可变电阻一样运行，被称为"线性模式"或"欧姆模式"。[2][3]
如果漏源电压增长了，由于源漏电势的梯度，它将造成沟道形状上的一个很大的非对称改变。在沟道的漏末端，反型区域的形状变成夹断（pinched-off）。如果漏源电压进一步增长，沟道的夹断点将开始离开漏极，向源极移动。这种FET被称为"饱和模式"；[4] 一些作者把它称为"有源模式"，为了更好的和双极晶体管操作区对比。[5][6] 当需要放大的时候一般用饱和模式或者欧姆模式与饱和模式的中间模式。中间模式有时被认为是欧姆或线性模式的一部分，尽管漏电流并不随着漏电压大致线性增长。
