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北京中盛源科技有限公司
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FCP104N60
产品详细说明
Fairchild 150V P 沟道 PowerTrench® MOSFET
Fairchild的150V P 沟道 PowerTrench® MOSFET 具有非常低的、针对低 Qg（栅极电荷）进行优化的 RDS(on)中电压 P 沟道技术，是负载开关应用的理想选择。该 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造，并针对低导通电阻进行了优化，同时保持了出色的开关性能。
