- IC型号
深圳市科力微电子有限公司
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联系方式
- 地址:深圳市华强北路华强广场A座12L/深圳市华强电子世界1号楼10C014/新华强Q1C055
- 联系人:科力微电子
- 电话:0755-83290088
- 传真:0755-83290088
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- QQ:
- E-mail:2355609065@qq.com
供应双极晶体管 MMBT3904 H1A 原装蓝箭
- 产品价格:
- ¥0.1/ 1pcs
¥0.08/ 10pcs
¥0.05/ 100pcs
¥0.04/ 1k
¥0.024/ 10k
- 交易说明:
- 一个包装是3K,建议按整个包装出
- 配送说明:
- 可以快递代收或者上门自提
- 厂 家:
- 蓝箭
- 封 装:
- SOT-23
- 批 号:
- 15+
- 数 量:
- 615000
产品咨询直线:0755-83290088
产品详细说明
MMBT3904(BR3DG3904M)
https://www.fsbrec.com 1 / 7
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
低电流,低电压。
Low current, Low voltage.
用于普通放大及开关。
General purpose amplifier and switching
参数
Parameter
符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
Collector to Base Voltage VCBO 60 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 40 V
Emitter to Base Voltage VEBO 6.0 V
Collector Current IC 200 mA
Collector Power Dissipation PC 200 mW
Collector Power Dissipation *PC 350 mW
Junction Temperature Tj 150 ℃
Storage Temperature Range Tstg -55~150 ℃
*在 7×5×0.6mm 陶瓷板上 *When mounted on a 7×5×0.6mm ceramic board
参数
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值
Min
典型值
Typ
最大值
Max
单位
Unit
Collector to Emitter Breakdown
Voltage VCEO IC=10μA IB=0 60 V
Collector to Base Breakdown
Voltage VCBO IC=1.0mA IE=0 40 V
Emitter to Base Breakdown
Voltage VEBO IE=10μA IC=0 6.0 V
Collector Cut-Off Current ICBO VCB=30V IE=0 0.05 μA
Emitter Cut-Off Current IEBO VEB=3.0V IC=0 0.05 μA
Forward Current Transfer Ratio(1) hFE(1) VCE=1.0V IC=10mA 100 300
Forward Current Transfer Ratio(2) hFE(2) VCE=1.0V IC=100mA 30
Forward Current Transfer Ratio(3) hFE(3) VCE=1.0V IC=50mA 60
Forward Current Transfer Ratio(4) hFE(4) VCE=1.0V IC=1.0mA 70
Forward Current Transfer Ratio(5) hFE(5) VCE=1.0V IC=0.1mA 40
Collector-Emitter Saturation
Voltage(1) VCE(sat) (1) IC=10mA IB=1.0mA 0.2 V
Collector-Emitter Saturation
Voltage(2) VCE(sat) (2) IC=50mA IB=5.0mA 0.3 V
Base-Emitter Saturation Voltage(1) VBE(sat) (1) IC=10mA IB=1.0mA 0.65 0.85 V
Base-Emitter Saturation Voltage(2) VBE(sat) (2) IC=50mA IB=5.0mA 0.95 V