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深圳市科力微电子有限公司
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联系方式
- 地址：深圳市华强北路华强广场A座12L/深圳市华强电子世界1号楼10C014/新华强Q1C055
- 联系人：科力微电子
- 电话：0755-83290088
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供应双极晶体管 MMBT3906 H2A 原装蓝箭
- 产品价格：
- ￥0.1/ 1pcs
￥0.08/ 10pcs
￥0.05/ 100pcs
￥0.04/ 1k
￥0.024/ 10k
- 交易说明：
- 一个包装是3K，建议按整个包装出
- 配送说明：
- 可以快递代收或者上门自提(华强电子世界1号楼10C014)
- 厂 家：
- 蓝箭
- 封 装：
- SOT-23
- 批 号：
- 15+
- 数 量：
- 990000
产品咨询直线：0755-83290088
产品详细说明
MMBT3906(BR3CG3906M)
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SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
高 hFE，低 VCE(sat)。
High DC Current Gain, Low Collector to Emitter Saturation Voltage.
用于普通放大及开关。
General purpose amplifier and switching.
参数
Parameter
符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
Collector to Base Voltage VCBO -40 V
Collector to Emitter Voltage VCEO -40 V
Emitter to Base Voltage VEBO -5.0 V
Collector Current IC -200 mA
Collector Power Dissipation PC 300 mW
Junction Temperature Tj 150 ℃
Storage Temperature Range Tstg -55～150 ℃
参数
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值
Min
典型值
Typ
最大值
Max
单位
Unit
Collector to Emitter Breakdown
Voltage VCEO IC=-10μA IB=0 -40 V
Collector to Base Breakdown
Voltage VCBO IC=-1.0mA IE=0 -40 V
Emitter to Base Breakdown
Voltage VEBO IE=-10μA IC=0 -5.0 V
Collector Cut-Off Current ICBO VCB=-30V IE=0 -0.05 μA
Emitter Cut-Off Current IEBO VEB=-3.0V IC=0 -0.05 μA
Forward Current Transfer Ratio(1) hFE(1) VCE=-1.0V IC=-10mA 100 300
Forward Current Transfer Ratio(2) hFE(2) VCE=-1.0V IC=-100mA 30
Forward Current Transfer Ratio(3) hFE(3) VCE=-1.0V IC=-50mA 60
Forward Current Transfer Ratio(4) hFE(4) VCE=-1.0V IC=-1.0mA 80
Forward Current Transfer Ratio(5) hFE(5) VCE=-1.0V IC=-0.1mA 60
Collector-Emitter Saturation
Voltage(1) VCE(sat) (1) IC=-10mA IB=-1.0mA -0.25 V
Collector-Emitter Saturation
Voltage(2) VCE(sat) (2) IC=-50mA IB=-5.0mA -0.4 V
Base-Emitter Saturation Voltage(1) VBE(sat) (1) IC=-10mA IB=-1.0mA -0.65 -0.85 V
Base-Emitter Saturation Voltage(2) VBE(sat) (2) IC=-50mA IB=-5.0mA -0.95 V
