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THB6064AH


双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.4Ω
高耐压50VDC，大电流4.5A（峰值）
细分选择：1/2、1/8、1/10、1/16、1/20、1/32、1/40、1/64
自动半流锁定功能
4档衰减方式可调

内置温度保护及过流保护

产品简介
THB6064AH的电流衰减方式有三种模式，Vfdt<0.8V 时为快衰减，1.1V电容（建议选择 470pF），再调整 FDT 电压（建议设定 2Ｖ以下），由低向高调，以电机运行平稳，噪音低、震动小时为佳。THB6064AH检测电阻最好选用 0.25Ω以上，以保证最佳驱动效果。 THB6064AH 检测电阻最好选用 0.2Ω以上，以保证最佳驱动效果。芯片的最高电压为 50V（空载状态下），电机在运行时会产生的感应电动势，电感越大、速度越快产生的电动势越大。所以在选择电源时，需要把这考虑进去，推荐最高使用 42V 以下电源。一般应用场合，选择 9 ～ 36V 即可。芯片功率桥部分使用 MOS 管，内部已寄生快速二极管，一般小电流场合应用可不外接续流管。电流若是大于 3 A 时建议加上，以降低芯片的功耗，并建议用肖特基二极管作为续流管，肖特基二极管最大的好处是门限电压低。在四个电机输出端与地之间需接入电阻 Rx，阻值视供电电压而定，VM/Rx 在 5mA 左右即可。作用是抑制感应毛刺电压对芯片的损坏。四个负载电阻建议最小用 0805 以上封装。THB6064AH设计ＰＣＢ时要注意保证芯片的三个接地脚要最短化直接连接（ 线宽不小于 1ＭＭ ），然后与检测电阻接地端就近连接，再一起引出。检测电阻和芯片之间的连线要短、粗，建议长度小于 1ＣＭ，线宽不小于 1.5ＭＭ（尽可能加粗，以免阻抗变大，影响驱动效果）。检测电阻接地端电流波动非常大，为了减小阻抗，与电源输入地的连线尽量加宽。在靠近 24 脚（VCC）、6、20 脚（VM）管脚处各放置 1 个 0.1uf 的电容。驱动板上电源端滤波电容不能小于 220uF，尽量靠近芯片放置。或者是靠近芯片旁边放置 47uF 左右的小电解电容，电源输入端再放置 220uF 以上的大电解电容，以减小电源端的高频阻抗，保证驱动效果。另外，如果芯片的两个ＶＭ脚分开从电源端引入，必须两个脚都要就近加上退耦电容和小电解电容，以减小电源阻抗。保证驱动效果。这点要特别注意。DOWN 的作用：当 0.6S 内没有脉冲输入（即 CLK 低于 1.5Hz），DOWN 输出低电平，通过与 VREF 端相连的电阻将 VREF 的电压拉低，进而减小芯片输出电流。可通过改变这个电阻阻值来设定需要的锁定电流。THB6064AH在设计 PCB 时，要注意芯片周围的安全间距至少要 15mil（0.381mm），在四个电机输出端和电源端尤其需要注意。