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产品详细说明
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FZ400R12KE3 参数
制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS否
产品IGBT Silicon Modules
配置Single
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C650 A
栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散2250 W
最大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体62MM
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
标准包装：500
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。但是，IGBT和其它电力电子器件一样，其应用还依赖于电路条件和开关环境。因此，IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点，为解决IGBT的可靠驱动问题，国外各IGBT生产厂家或从事IGBT应用的企业开发出了众多的IGBT驱动集成电路或模块，如国内常用的日本富士公司生产的EXB8系列，三菱电机公司生产的M579系列，美国IR公司生产的IR21系列等。但是，EXB8系列、M579系列和IR21系列没有软关断和电源电压欠压保护功能，而惠普生产的HCLP一316J有过流保护、欠压保护和1GBT软关断的功能。
