深圳市中环星科技有限公司 （非本站正式会员）

MMBT5551( NPN )
印章/Marking：G1
特点/Features： 击穿电压高；
用途/Applications： 用于普通高压放大，与MMBT5401 互补。

1、集电极-基极电压/Collector-Base Voltage     VCBO = 180 V
2、集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage     VCEO = 160 V
3、发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage     VEBO = 6 V
4、集电极连续电流/Collector Current Continuous      IC = 0.6 A
5、集电极耗散功率/Collector Power Dissipation     PC = 0.3 W
6、结温/Junction Temperature      Tj = 150 ℃
7、储存温度/Storage Temperature      Tstg = -55~150 ℃

电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) ：

1、集电极-基极击穿电压 VBR(CBO)        测试条件： IC=100μA,IE=0           最小值：180 V
2、集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO)   测试条件：IC=1mA,IB=0                 最小值：160 V
3、发射极-基极击穿电压 VBR(EBO)       测试条件：IE=10μA,IC=0                最小值：6 V
4、集电极截止电流 ICBO                         测试条件：VCB=120V,IE=0             最大值：0.1 μA
5、发射极截止电流 IEBO                         测试条件： VEB=4V,IC=0               最大值：0.1 μA
6、直流电流增益 hFE(1)*                        测试条件： VCE=5V,IC=1mA         最小值： 80
7、直流电流增益 hFE(2) *                       测试条件：VCE=5V,IC=10mA          最小值：100    最大值：300
8、直流电流增益 hFE(3) *                       测试条件： VCE=5V,IC=50mA        最小值：50
9、集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) *   测试条件： IC=10mA,IB=1mA        最大值：0.15 V
10、集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) * 测试条件：IC=50mA,IB=5mA          最大值：0.2 V
11、基极-发射极饱和压降 VBE(sat) *   测试条件：IC=10mA,IB=1mA         最大值：1 V
12、基极-发射极饱和压降 VBE(sat) *   测试条件：IC=50mA,IB=5mA         最大值：1 V
13、特征频率 fT                       测试条件： VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz  最小值：100  最大值：300 MHz
14、输出电容 COB                                 测试条件：VCB=10V,IE=0,f=1MHz  最大值：6 pF
15、输入电容 CIB                                  测试条件：VBE=0.5V,IC=0,f=1MHz  最大值：20 pF