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MMBT2222A ( NPN )
印章/Marking：1P
用途/Applications： 用于一般放大电路，与MMBT2907A 互补。

极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) :
1、集电极-基极电压/Collector-Base Voltage  VCBO = 75 V
2、集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage   VCEO = 40 V
3、发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage   VEBO = 6 V
4、集电极连续电流/Collector Current Continuous   IC = 0.6 A
5、集电极耗散功率/Collector Power Dissipation   PC = 0.25 W
6、热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient   RθJA=  500 ℃/mW
7、结温/Junction Temperature   Tj = 250 ℃
8、储存温度/Storage Temperature   Tstg = -55~150 ℃

电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) ：
1、集电极-基极击穿电压 VBR(CBO)          测试条件：IC=10μA,IE=0         最小值：75 V
2、集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO)     测试条件：IC=10mA,IB=0         最小值：40 V
3、发射极-基极击穿电压 VBR(EBO)         测试条件： IE=10μA,IC=0        最小值：6 V
4、集电极截止电流 ICBO                          测试条件：VCB=60V,IE=0          最大值：0.01 μA
5、发射极截止电流 IEBO                          测试条件：VEB=3V,IC=0             最大值： 0.1 μA
6、集电极发射极穿透电流 ICEX     测试条件：VCE=30V,VBE(off)=3V      最大值：0.01 μA
7、直流电流增益 hFE(1)*          测试条件：VCE=10V,IC=150mA         最小值：100     最大值：300
8、直流电流增益 hFE(2)*          测试条件：VCE=10V,IC=0.1mA          最小值：40
9、直流电流增益 hFE(2)*          测试条件：VCE=10V,IC=500mA         最小值： 42
10、集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)*   测试条件：IC=500mA,IB=50mA    最大值：1 V
11、集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)*   测试条件：IC=150mA,IB=15mA    最大值：0.3 V
12、基极-发射极饱和压降 VBE(sat)*       测试条件：IC=500mA,IB=50mA    最大值：2 V
13、基极-发射极饱和压降 VBE(sat)*       测试条件：IC=150mA,IB=15mA    最大值：1.2 V
14、特征频率 fT   测试条件：VCE=6V,IC=20mA,f=30MHz            最小值：150 MHz
15、延迟时间 td   测试条件：VCC=30V,VBE(off)=-0.5V, IC=150mA,IB1=15mA    最大值： 10 nS
16、上升时间 tr    测试条件：VCC=30V, VBE(off)=-0.5V, IC=150mA,IB1=15mA    最大值：25 nS
17、储存时间 ts   测试条件：VCC=30V, IC=150mA, IB1=-IB2=15mA        最大值：225 nS
18、下降时间 tf    测试条件：VCC=30V, IC=150mA, IB1=-IB2=15mA        最大值：60 nS