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深圳市鸿金腾科技有限公司
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产品详细说明
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数据列表 |
IRFB4229PBF |
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产品相片 |
TO-220-3, TO-220AB |
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标准包装 |
50 |
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类别 |
分离式半导体产品 |
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家庭 |
FET - 单 |
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系列 |
HEXFET® |
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FET 型 |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
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FET 特点 |
标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) |
250V |
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
46A |
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开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C |
46 毫欧 @ 26A, 10V |
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Id 时的 Vgs(th)（最大） |
5V @ 250µA |
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
110nC @ 10V |
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
4560pF @ 25V |
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功率 - 最大 |
330W |
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安装类型 |
通孔 |
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封装/外壳 |
TO-220 |
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供应商设备封装 |
TO-220AB |
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包装 |
管件 |
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制造商 |
International Rectifier |
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制造商零件编号 |
IRFB4229PBF |
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描述 |
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB |
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对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 |
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
