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香港利佳虹电子科技有限公司
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产品详细说明
源漏极间雪崩电压VBR(V):60 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180 最大漏极电流Id(on)(A):12 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150 描述:-60 V, -12 A功率MOSFET
特点
TMOS7设计的低RDS（on）
可承受高能量，在雪崩和通讯模式
应用
电源供应器
PWM电机控制
转换器
电源管理
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