深圳市华路峰电子科技有限公司

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12年

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金属化CBB81聚丙烯薄膜电容器1600V102 1NF

  • 金属化CBB81聚丙烯薄膜电容器1600V102 1NF
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HLF
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产品详细说明

深圳市华峰电子销售部.

 详细介绍
   技术要求:
   ◆ 介质:聚丙烯薄膜
   ◆ 电极:真空蒸金属
   ◆ 包封:环氧树脂封装
   ◆ 导线:径向镀锡导线
   ◆ 引用标准:IEC 384-16;GB 10190-1988
   ◆ 气候类别:40/085/21
   ◆ 静电容量与额定电压:0.01µF-3.3µF/160/250VDC;0.01µF-3.3µF/400VDC;0.01µF-2.2µF/ 630VDC
   ◆ 静电容量误差:M=±20% K=±10% J=±5%
   ◆ 散逸因素(损耗角正切):DF≤0.1% (at 20℃ 1KHz)
   ◆ 耐电压:1.6*Ur (5S at 20℃)
   ◆ 缘电阻:C≤0.33µF IR≥30000MΩ
   C>0.33µF IR*C≥5000S (1minute at 20℃ and RH≤65%)
   ◆ 耐久性:85℃试验温度下,125%之额定电压1000小时,试验完成后:
   △C/C≤5%; △DF≤0.4% ;IR ≥初始值的0.5% (20℃ 1KHz)
1.特点及用途(FEATURES & APPLICATIONS)                                  

特点 1、高频损耗低
2、内部温升小
3、 绝缘性能好,自愈效果佳
4 、阻燃环氧树脂包封

用途 1、 各种直流、脉冲、高频较大电流场合
2、 彩电 S 校正电路

 

2.特性(SPECIFICATIONS)

电容量(Capacitance) 0.01μF~3.3μF
电容量允许偏差(Capacitance Tolerance) J(±5%),K(±10%),M(±20%)
使用温度(Operating Temperature) -40℃~85℃
额定电压(Rated Voltage) 250VDC,400VDC,630VDC
损耗角正切值(Dissipation Factor)(tgδ) 0.1% max @ 1KHz,25℃
绝缘电阻(Insulation Resistance)(IR) C≤0.33μF:IR≥9000MΩ
C>0.33μF:IR≥3000MΩ·μF
介电强度(Dielectric Strength) 140% for 3~5

IC热门型号
DS14C238WMX
AT91FR40162S-CJ
MMBZ18VALT1
AM29F010B-90EI
XEL16VB
CS83C92C-CL
MAX485CSA/ESA
TPS40004DGQ
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