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厂 家:
FAIRCHILD
封 装:
TO-263
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11+
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65000
 
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产品详细说明

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFETGaNFET -

系列:QFET™

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 9.7A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19.4A

Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V

Vds 时的输入电容(Ciss) 1600pF @ 25V

功率 - 最大:3.13W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:D²PakTO-2632 引线 + 接片)

包装:带卷 (TR)

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