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标准包装：1 品家庭  FET-单路系列：STripFET™FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：逻辑电平门开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：50毫欧@2A,10V漏极至源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)@25°C：6.5A
Id时的Vgs(th)（最大）：1V@250µA
电荷(Qg)@Vgs：9nC@10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：330pF@25V
功率-最大：3.3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装：SOT-223
包装：剪切带(CT)
联系人:林小姐
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