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香港利佳虹电子科技有限公司
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产品详细说明
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50
最大漏极电流Id(on)(A):6
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150
描述:-20 V, -6.0A功率MOSFET
联系人:林小姐
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英文名称:HongKong Goolden Well Electronics
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