收藏本公司 人气:10539475
12年产品咨询直线:0755-82760193
描述 | MOSFET P-CH 200V 19.5A TO-3P |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 450 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 230 毫欧 @ 9.8A,5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V |
功率 - 最大 | 204W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商设备封装 | TO-3P |
包装 | 管件 |