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描述 | MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
数据列表 | IPB,IPP80N08S2L-07 |
标准包装 | 500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 75V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.1 毫欧 @ 80A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 233nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V |
功率 - 最大 | 300W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
包装 | 管件 |
其它名称 | SP000219050 |