- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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12年
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| 描述 | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET |
| RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 4,800 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 71nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6580pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET? MT |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IRF6691TR |
