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12年描述 | IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | PowerTrench® |
FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.7A,3.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 68 毫欧 @ 3.7A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 340pF @ 10V |
功率 - 最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 | 6-MicroFET(2x2) |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDMA1032CZTR |