- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
收藏本公司 人气：10538622
12年
产品咨询直线：0755-82760193
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | SI3430DV |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 170 毫欧 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 1.14W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI3430DV-T1-E3TR |
