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描述 | MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 540mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 150pF @ 16V |
功率 - 最大 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商设备封装 | SOT-563 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | NTZD3154NT1GOSTR |