- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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13年
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| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 其它有关文件 | IRF630 View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MESH OVERLAY™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |
| 工具箱 | 497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA |
| 其它名称 | 497-2757-5 |
