- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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13年
| 描述 | IGBT MOD DUAL 1200V 600A A SER |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 半导体模块 |
| 家庭 | IGBT |
| 系列 | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型 | - |
| 配置 | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 3V @ 15V，600A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 600A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies) | 94nF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 3670W |
| 输入 | 标准型 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商设备封装 | 模块 |
| 配用 | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
| 其它名称 | 835-1024 |
