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北京宏科清源科技有限公司
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供应IR公司军品级MOSFET场效晶体管JANTX2N6798
产品详细说明
供应IR公司军品级MOSFET场效晶体管JANTX2N6798
封装:TO-205AF
最大漏源极电压:200V
最大持续漏极电流:22A
RDS:400 mOhm
特征
•低R
DS(on)
•易于并联
•资格MIL-PRF-19500/557
描述
这种密封包装的产品功能QPL最新的先进MOSFET技术. I i i e l y s i e f r
t s dal utd o
在小规模的军事需求，高性能和高可靠性要求，并在应用程序，如
交换式电源供应器，马达控制，逆变器，斩波器，音频放大器和高能量脉冲电路
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
