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描述 | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 1 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 780mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 600 毫欧 @ 610mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.6nC @ 4.45V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 97pF @ 15V |
功率 - 最大 | 540mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | Micro3?/SOT-23 |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | *IRLML6302TRIRLML6302IRLML6302-NDIRLML6302CT |